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Electronique de puissance : place au GaN !

Mardi 20 novembre Espace Van Gogh de la Maison de la RATP (Paris 12e)

L’IRT Nanoelec vous invite le 20 novembre 2018 pour un événement national autour de la thématique Composants de puissance à base de GaN.

En tant que matériaux semi-conducteurs à large bande (Wide BandGap — WBG), les composants réalisés en nitrure de gallium (GaN) permettent de fonctionner à des tensions, des fréquences et des températures nettement supérieures aux semi-conducteurs classiques comme le silicium.

L’occasion pour les principaux acteurs de l’électronique de puissance d’échanger sur l’état de l’art et sur les avancées dans le domaine.

Programme

Introduction/Welcome
Michel Wolny, IRT Nanoelec

Analyse du marché
- Historique et état de l’art Thierry Bouchet, Leti
- Vision marché Yole

Applications / Besoins industriels
- Filippo Di Giovanni, ST
- Miao Xin Wang, Schneider Electric
- Florent Liffran, BrightLoop Converters
- Jérémy Martin, Liten
- J.M Morelle, Valeo
- IRT Saint-Exupéry

Techno / Filières
- Le programme PowerGaN de l’IRT Nanoelec : Ph. Pantigny, Leti
- Enjeu Fiabilité : IFSTTAR
- Design : G2ELab
- Architecture avancées de composants de puissance : IEMN
- Packaging Electronique de Puissance 4.0 : Bruno Allard, Labo Ampère

Perspectives (table ronde)
ST, Schneider, Yole, IRT Nanoelec, BrightLoop Converters

Conclusion / Wrap-up / Remerciements
Michel Wolny, IRT Nanoelec

Rendez-vous de 10h à 16h30, Espace Van Gogh de la Maison de la RATP (Paris 12e)
Inscriptions ICI

Retrouvez plus d’information sur la collaboration entre le CEA et STmicroelectronics dans l’article rédigé par Electroniques.biz.