Electronique de puissance : place au GaN !
L’IRT Nanoelec vous invite le 20 novembre 2018 pour un événement national autour de la thématique Composants de puissance à base de GaN.
En tant que matériaux semi-conducteurs à large bande (Wide BandGap — WBG), les composants réalisés en nitrure de gallium (GaN) permettent de fonctionner à des tensions, des fréquences et des températures nettement supérieures aux semi-conducteurs classiques comme le silicium.
L’occasion pour les principaux acteurs de l’électronique de puissance d’échanger sur l’état de l’art et sur les avancées dans le domaine.
Programme
Introduction/Welcome
Michel Wolny, IRT Nanoelec
Analyse du marché
Historique et état de l’art Thierry Bouchet, Leti
Vision marché Yole
Applications / Besoins industriels
Filippo Di Giovanni, ST
Miao Xin Wang, Schneider Electric
Florent Liffran, BrightLoop Converters
Jérémy Martin, Liten
J.M Morelle, Valeo
IRT Saint-Exupéry
Techno / Filières
Le programme PowerGaN de l’IRT Nanoelec : Ph. Pantigny, Leti
Enjeu Fiabilité : IFSTTAR
Design : G2ELab
Architecture avancées de composants de puissance : IEMN
Packaging Electronique de Puissance 4.0 : Bruno Allard, Labo Ampère
Perspectives (table ronde)
ST, Schneider, Yole, IRT Nanoelec, BrightLoop Converters
Conclusion / Wrap-up / Remerciements
Michel Wolny, IRT Nanoelec
Rendez-vous de 10h à 16h30, Espace Van Gogh de la Maison de la RATP (Paris 12e)
Inscriptions ICI
Retrouvez plus d’information sur la collaboration entre le CEA et STmicroelectronics dans l’article rédigé par Electroniques.biz.